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CDBJFSC101200-G

Comchip Technology

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モデル CDBJFSC101200-G
メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 13082 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs50 pcs
$4.352$3.956$3.659
100 pcs250 pcs500 pcs
$3.362$3.066$2.868
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Product parameter

モデル CDBJFSC101200-G
メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 13082 pcs
データシート CDBJFSC101200-G
商品画像 CDBJFSC101200-G.jpg
プロダクト ディスクリート半導体製品
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7V @ 10A
電圧 - 逆(VR)(最大) 1200V
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 0ns
パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
他の名前 641-1933
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
詳細な説明 Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Through Hole TO-220F
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100µA @ 1200V
電流 - 平均整流(イオ​​) 10A (DC)
Vrと、F @キャパシタンス 780pF @ 0V, 1MHz
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