CDBJFSC101200-G
Comchip Technology
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モデル | CDBJFSC101200-G |
---|---|
メーカー | Comchip Technology |
説明 | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
価格 (US $) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | ||
---|---|---|---|---|---|
$4.352 | $3.956 | $3.659 | |||
100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
$3.362 | $3.066 | $2.868 |
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- データシート
Product parameter
モデル | CDBJFSC101200-G |
---|---|
メーカー | Comchip Technology |
説明 | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
株式 | 13082 pcs |
データシート | CDBJFSC101200-G |
商品画像 | CDBJFSC101200-G.jpg |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7V @ 10A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
他の名前 | 641-1933 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A (DC) Through Hole TO-220F |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100µA @ 1200V |
電流 - 平均整流(イオ) | 10A (DC) |
Vrと、F @キャパシタンス | 780pF @ 0V, 1MHz |
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