SI4010DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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モデル | SI4010DY-T1-GE3 |
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メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
価格 (US $) | 2500 pcs | ||||
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$0.16 |
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- データシート
Product parameter
モデル | SI4010DY-T1-GE3 |
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メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
株式 | 138863 pcs |
データシート | SI4010DY |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.4 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 6W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4010DY-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3595pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 77nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31.3A (Tc) |
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