SIZ900DT-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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モデル | SIZ900DT-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
価格 (US $) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
---|---|---|---|---|---|
$0.751 | $0.679 | $0.545 | $0.424 | $0.351 |
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- データシート
Product parameter
モデル | SIZ900DT-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
株式 | 68493 pcs |
データシート | SIZ900DT |
商品画像 | SIZ900DT-T1-GE3.jpg |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
電力 - 最大 | 48W, 100W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ |
他の名前 | SIZ900DT-T1-GE3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1830pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A, 28A |
ベース部品番号 | SIZ900 |
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