STI10N62K3
STMicroelectronics
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モデル | STI10N62K3 |
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メーカー | STMicroelectronics |
説明 | MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
価格 (US $) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
---|---|---|---|---|---|
$0.915 | $0.826 | $0.664 | $0.516 |
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Product parameter
モデル | STI10N62K3 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
説明 | MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
株式 | 75581 pcs |
データシート | STx(x)10N62K3 |
商品画像 | STI10N62K3.jpg |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | SuperMESH3™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 750 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | 497-12256 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1250pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 620V |
詳細な説明 | N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.4A (Tc) |
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