TK8R2A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
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| モデル | TK8R2A06PL,S4X |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.654 | $0.524 | $0.459 | $0.356 | $0.281 | |
- 製品仕様
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- データシート
Product parameter
| モデル | TK8R2A06PL,S4X |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 76536 pcs |
| データシート | TK8R2A06PL |
| 商品画像 | TK8R2A06PL,S4X-001.jpg , TK8R2A06PL,S4X-002.jpg |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 300µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| シリーズ | U-MOSIX-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 他の名前 | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1990pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28.4nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 詳細な説明 | N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
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